渦流探傷時(shí)影響試驗線(xiàn)圈阻抗的主要因素可從如下特性函數中表現出來(lái)：1－η＋μrμeff 式中：η--填充系數；μr--相對磁導率；μeff--有效磁導率。即影響試驗線(xiàn)圈阻抗的主要因素有：電導率、磁導率、試件的形狀尺寸、缺陷及試驗頻率等。渦流探傷電導率：如果電導率σ變，則特征頻率ｆg變[ｆg=1/(2πμσα2)，α是試件半徑]，貝塞爾函數的變量變，有效磁導率變，試驗線(xiàn)圈阻抗變。電導率的變化，在阻抗圖中影響阻抗值在曲線(xiàn)上的位置。
渦流探傷磁導率：非磁性材料，因為μr近似為1，所以對阻抗無(wú)影響；磁性材料，因為μr遠大于1，所以直接影響有效磁導率值、特征函數值和阻抗值。磁性材料試件的阻抗隨相對磁導率μr值的增大而增大。渦流探傷試件幾何尺寸：試件幾何尺寸通常以直徑(或半徑)描述。試件直徑的變化，不僅影響有效磁導率(分析參見(jiàn)電導率分析)，而且影響填充系數。因此，試件幾何尺寸對試驗線(xiàn)圈阻抗的影響是雙重的。
渦流探傷缺陷：缺陷對試驗線(xiàn)圈阻抗的影響可以看作是電導率、幾何尺寸兩個(gè)參數影響的綜合結果。由于試件中裂紋位置、深度和形狀的綜合影響結果，使缺陷對試驗線(xiàn)圈阻抗的影響無(wú)法進(jìn)行理論計算，渦流探傷通常是借助于模型進(jìn)行實(shí)驗。試驗頻率：試驗頻率對試驗線(xiàn)圈阻抗的影響表現在頻率比ｆ／ｆg上，由于有效磁導率是以頻率比ｆ／ｆg為參變量的，隨著(zhù)試驗頻率的不同，試驗線(xiàn)圈在曲線(xiàn)上的位置發(fā)生改變。
渦流探傷時(shí)，標準試件的用途及制作注意事項各有三點(diǎn)要注意，首先我們來(lái)分析標準試件的用途：
?、僬{節和檢驗設備：渦流探傷試驗前，使用對比試件調節試驗參數，確定試驗狀態(tài)；試驗過(guò)程中，使用對比試件檢驗設備工作是否政黨可靠。
?、诖_定質(zhì)量驗收標準：試驗中，根據對比試件上的人工缺陷的指示信號為基準，確定受檢試件是否合格。
?、蹤z查設備性能：渦流探傷主要性能有靈敏度、分辨力、末端效應長(cháng)度、人工缺陷的重要性等。
分析完標準試件的用途接下來(lái)我們來(lái)關(guān)注標準試件的制作注意事項是哪三點(diǎn)：
?、俨牧线x擇：渦流探傷應使材料片號、熱處理狀態(tài)、尺寸、形狀、加工程序、表面光潔度等應與受檢試件相同。
?、谌斯と毕菁庸ぃ褐谱鲿r(shí)不允許材質(zhì)發(fā)生變化，不允許留有殘余應力；制作完畢，人工缺陷內不允許殘存金屬粉末；為防止末端效應，渦流探傷應使人工缺陷與末端相距200mm以上；人工缺陷有兩個(gè)以上時(shí)，為防止相互干擾，間距也應在200mm以上。
?、廴斯と毕莸膶挾燃吧疃染鶓獪y量。
一次完整的渦流探傷不僅僅只是一個(gè)過(guò)程還需要一份完整的報告，所以渦流探傷報告應包括的主要內容：A．試驗日期 B．試驗名稱(chēng) C．試件名稱(chēng)、數量及簡(jiǎn)單示意圖 D．試驗裝置 E．試驗線(xiàn)圈 F．試驗條件(頻率、靈敏度、相位、濾波抑制、磁飽和電流等) G．標準試件和判廢標準 H．渦流探傷試驗結果及缺陷簡(jiǎn)單示意圖 I．試驗人員姓名及技術(shù)資格。
